NAND Flash晶圆11月价格暴涨25%
12月11日消息,在三星、SK海力士及美光等头部存储芯片的持续扩大减产的背景之下,11月NAND Flash wafer价格涨幅超过25%。由于原厂减产后供给减少,再加上原厂主动进行涨价,部分存储模块厂只能接受原厂涨价,特别是在“原厂还会继续涨价”的预期心理下,存储模组厂商持续抢货,将进一步推升了12月的价格涨幅。
据了解,作为NAND Flash龙头大厂,三星从第二季起开始持续降低NAND Flash产量,9月再扩大幅度至总产能的50%,主要集中在128层堆叠以下产品,这也为整个NAND Flash市场奠定了涨价的信心。
由于存储芯片原厂减产幅度超乎预期,加上客户端库存普遍偏少,促使NAND Flash价格持续上涨。然而,今年下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受传统旺季带动,华为Mate 60系列等也刺激其它中国手机品牌扩大生产目标,短时间需求涌入,推动第四季合约价格的上涨。
这一轮存储芯片价格上涨最剧烈的莫过于NAND Flash wafer的价格。根据TrendForce的最新的调研结果显示,从产业现况来看,NAND模组厂商库存因客户追单而快速落底,导致模组厂转而向原厂要求扩大供应,然而,原厂持续维持减产策略,供不应求致使第四季NAND Flash wafer价格反弹强烈。从TrendForce的数据来看,NAND Flash wafer 11月单月涨幅超过25%。
业内人士透露,在目前供给有限,且需求大幅增加的情况下,模块厂只能接受原厂的强势涨幅。而业界因为预期原厂会持续涨价,导致“大家就是一直抢货”。
从目前的市况来看,TrendForce认为12月NAND Flash在供给吃紧下,价格将持续推升。但第一季价格是否持续大幅拉升,依旧要看原厂减产策略与市场需求状况而定。
据悉,业界传出的消息显示,有原厂因下游拉货状况火热,已开始考虑增加产能。一旦原厂提早增产,加上需求表现未明显好转,价格上涨幅度将明显受到限缩。
编辑:芯智讯-林子
发布于:广东
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