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2纳米光刻机正式交付,台积电没想到投诚了,却被美国卡脖子

来源:晰数塔互联网快讯 时间:2023年12月27日 07:54

外媒报道指被用于2纳米的第二代EUV光刻机将在明年交付,不过产量将只有10台,其中6台已优先给予美国的芯片企业Intel,剩下的4台将被三星、台积电、SK海力士等争夺,台积电未必能抢到。

台积电和三星当下以第一代EUV光刻机生产3纳米都遇到了麻烦。台积电继续采用成熟的FinFET技术,以第一代EUV光刻机生产3纳米,良率为55%,不如5纳米的九成以上良率,还导致生产的A17处理器性能提升仅一成、功耗过高。

三星激进地采用GAA技术,以第一代EUV光刻机生产3纳米,性能提升幅度未知,不过良率低至一到两成,这也导致三星的3纳米至今不知客户是谁,业界认为没有客户采用,因为3纳米的成本本来就高,低至两成以下的良率更导致成本高到天上去,没有芯片企业能够承受。

如果3纳米能采用第二代EUV光刻机生产,预计良率可以得到大幅提升,而且性能会更好,毕竟第二代EUV光刻机的光刻更精准、耗电量更小,这样付出的成本代价才能获得足够的性能提升。

3纳米用第一代EUV光刻机尚且无法获得经济的生产成本,那么就更不可能用第一代EUV光刻机生产2纳米了,这是导致第二代EUV光刻机尚未正式量产就被多家芯片企业争夺的重要原因,而且这对于美国芯片行业来说还有独特的意义。

美国芯片的制造巨头是Intel,Intel在2014年量产14纳米两年之后,都仍然保持着全球最先进芯片制造企业的名号,不过随着台积电、三星等将芯片制造工艺推进到10纳米以下,而Intel却只能继续对14纳米改良再改良,美国就失去了芯片制造工艺的优势了。

为了重夺芯片制造领先地位,美国对台积电和三星可谓软硬兼施,又是技术限制威胁,又是给出520亿美元芯片补贴的胡萝卜,最终促使台积电和三星都上交了机密数据,还赴美设厂。

台积电不仅同意赴美设厂生产4纳米,还同意投资400亿美元在美国建设最先进的3纳米工艺,还在美国的逼迫下上交了机密数据,可以说台积电对美国已彻底交心了。

后来美国的做法却说明台积电并未被它视为自己人,先是在芯片补贴分配方面糊弄了台积电,只给予台积电10%的芯片补贴,补贴份额还不如三星的13%,后来更给出芯片补贴细则,要求台积电共享技术和利润,如此台积电感觉补贴拿了不划算,计划舍弃补贴。

再到如今美国要求ASML将2纳米光刻机优先交给Intel,这更是说明美国的目的还是扶持本土芯片企业Intel;ASML也不得不如此做,因为EUV光刻技术掌握在美国手里,当初就是美国将EUV光刻技术交给ASML而不日本的佳能、尼康导致日本光刻机产业的衰败,自然ASML得听美国的话。

Intel预计拿到2纳米光刻机之后,Intel相当于2纳米的工艺将在2025年量产,而台积电至少得等到2026年,这中间或许还会有其他手段阻碍台积电发展2纳米工艺,美国重夺芯片制造工艺领先优势已几乎是板上钉钉了。

可以看出美国为了确保Intel再次取得芯片制造工艺领先优势,必然会使出诸多手段,阻碍台积电的2纳米工艺先于Intel量产,业界认为无论台积电如何亲近美国,美国都会打压它而扶持Intel,台积电这次在先进工艺制程方面真的被美国卡脖子啦。

发布于:广东

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