佳能最快今年交付纳米压印光刻设备:可低成本制造5nm芯片,未来目标2nm
去年10月,佳能公布了采用纳米压印技术(NIL)的光刻设备FPA-1200NZ2C,称为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。近日,佳能负责新型光刻机开发的高管武石洋明接受了媒体的采访,表示FPA-1200NZ2C会在2024年至2025年间出货。
传统光刻技术是利用光学图像投影的原理,将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上,而纳米压印不同于传统的复杂解决方案,而是类似于印刷技术,直接通过模板进行大量复制,压印形成图案。佳能开发纳米压印技术已经超过15年,尝试通过一种新的方法,以降低成本、提高能源效率。
据佳能的介绍,纳米压印光刻设备的功耗比ASML的EUV光刻设备降低了90%,同时设备的投资也能降低至EUV光刻设备40%的水平。使用新款纳米压印光刻设备可以用来制造5nm芯片,未来可以推进到2nm制程节点。佳能表示,纳米压印光刻设备并不是用来取代现有的EUV和DUV工具,而是共存。除了能制造逻辑芯片,还能用于制造3D NAND闪存芯片。
由于目前半导体市场对于光刻设备的需求很高,佳能可能利用更便宜的设备和生产成本作为卖点,切入到半导体设备市场。不过纳米压印技术与EUV及DUV都不兼容,想加入到半导体制造商现有的制造流程会有些复杂。
发布于:广东
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