佳能最快今年交付纳米压印光刻设备：可低成本制造5nm芯片，未来目标2nm

去年10月，佳能公布了采用纳米压印技术（NIL）的光刻设备FPA-1200NZ2C，称为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。近日，佳能负责新型光刻机开发的高管武石洋明接受了媒体的采访，表示FPA-1200NZ2C会在2024年至2025年间出货。

传统光刻技术是利用光学图像投影的原理，将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而纳米压印不同于传统的复杂解决方案，而是类似于印刷技术，直接通过模板进行大量复制，压印形成图案。佳能开发纳米压印技术已经超过15年，尝试通过一种新的方法，以降低成本、提高能源效率。

据佳能的介绍，纳米压印光刻设备的功耗比ASML的EUV光刻设备降低了90%，同时设备的投资也能降低至EUV光刻设备40%的水平。使用新款纳米压印光刻设备可以用来制造5nm芯片，未来可以推进到2nm制程节点。佳能表示，纳米压印光刻设备并不是用来取代现有的EUV和DUV工具，而是共存。除了能制造逻辑芯片，还能用于制造3D NAND闪存芯片。

由于目前半导体市场对于光刻设备的需求很高，佳能可能利用更便宜的设备和生产成本作为卖点，切入到半导体设备市场。不过纳米压印技术与EUV及DUV都不兼容，想加入到半导体制造商现有的制造流程会有些复杂。

发布于：广东

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