首页科技快讯 Exynos 2400基于三星4LPP+制程，良率已达60%

Exynos 2400基于三星4LPP+制程，良率已达60%

来源：晰数塔互联网快讯时间：2024年02月06日 20:18

2月6日消息，根外媒报道，三星电子的旗舰智能手机Galaxy S24系列所搭载的Exynos 2400是基于三星4LPP+制程技术制造的，当前的良率约为60%，相比一年多之前25%良率已经大幅提升。不过，仍低于台积电N4P的70%以上的良率。

据介绍，三星的Exynos 2400处理器是三星首款采用扇出晶圆级封装（FOWLP）的手机处理器。三星表示，使用FOWLP技术可将耐热性提高23%，进一步使多核性能可提高8%。结合其所搭载的三星基于AMD RDNA 3 GPU IP研发的Xclipse 940 GPU，使得Exynos 2400手机处理器在最新的3DMark Wild Life测试结果当中表现不俗。

另外，近期市场传闻称，三星的代工业务已开始针对其第二代3nm制程技术SF3进行试产。并且，该公司计划在未来六个月内将良率提高至60%以上。目前，三星正在测试藉由SF3制程技术所制造的芯片其性能和可靠性。预计，首个采用三星SF3制程技术生产的芯片将会是可穿戴设备的应用处理器，该处理器也计划用于2024年之后发表的Galaxy Watch 7等产品上。

三星此前曾表示，计划在2024年下半年开始大规模量产SF3制程的芯片，可以在同一单元内达到不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米片信道宽度，进一步提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。

在 2025 年，三星预计将推出 SF2（2nm 级）制造工艺，该工艺不仅依赖 GAA 晶体管，还将采用背面功率传输，这在晶体管密度和功率传输方面带来了巨大的好处，也许在推出基于 GAA 的 SF3E 后三星生产节点的最大改革将发生在 2027 年，届时三星的 SF1.4 技术将通过将纳米片数量从 3 个增加到 4 个来获得额外的纳米片。

编辑：芯智讯-林子

发布于：安徽