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为提升HBM良率,传三星跟进SK海力士采用MUF技术

来源:晰数塔互联网快讯 时间:2024年03月14日 16:03

据路透社3月12日报道,三星计划采用SK海力士所采用的高带宽内存(High Bandwidth Memory,HBM)制造技术,以期在竞争越来越激烈的HBM竞赛中追赶竞争对手。

随着生成式AI的持续火爆,带动了AI芯片需求的爆发,而作为AI芯片的关键组件的HBM也是供不应求,除了需求大增之外,HBM生产周期较DDR5更长,投片到产出与封装完成需两个季度以上。据TrendForce资深研究副总吴雅婷表示,目前HBM市场主流为HBM3,英伟达现有的H100采用的是就是HBM3,其中SK海力士是最主要的供应商,但是供应不足应付整体AI市场所需,因此在2023年底,三星以1Z nm产品开始加入了英伟达供应链,尽管比重仍小,但仍可视为三星HBM3的重要斩获。

同时,三星也是AMD的HBM长期重要策略供应伙伴,2024年一季度,三星HBM3产品陆续通过了AMD MI300系列的验证,包括8h与12h产品,因此在2024年第一季度后,三星HBM3产品将会逐渐放量。

而英伟达新一代的B100或H200 GPU将会采用最新的HBM3e,据TrendForce调查显示,SK海力士、美光的HBM3e已先后通过了英伟达的认证,并敲定了HBM3e供应协议之际,三星的HBM3e递交样品时间较另两家稍晚,至今仍未通过英伟达的质量测试。

另外,数名分析人士指出,三星HBM3的良率目前只有10~20%,SK海力士的HBM3良率却已达到了60~70%。

分析认为,因为三星坚持使用非导电性胶膜(Non-Conductive. Film,NCF)技术,因而导致了其HBM面临一些生产问题,这也是其进度落后的原因之一。相较之下,SK海力士率先改用批量回流模制底部填充(mass reflow molded underfill,MR-MUF)技术,解决NCF弱点,也成为第一家供应HBM3芯片给英伟达的厂商。

不过,有消息透露,三星最近已下单采购专为MUF设计的芯片制造设备。一名知情人士说,“三星必须设法提升HBM良率……改为采用MUF技术对三星来说有点吞下自尊的意味,因为这代表该公司终究还是得跟进SK海力士的技术路线。”

消息称,三星正在跟数家材料商接洽,希望采购MUF材料,当中包括日本厂商——长濑产业株式会社(Nagase)。不过,消息称三星并未完全放弃NCF技术,而打算在最新款HBM芯片同时使用NCF、MUF两种技术。

编辑:芯智讯-林子

发布于:广东

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