三星:2025年后将进入3D DRAM时代
4月2日消息,据外媒Semiconductor Engineering报导,三星电子近日在半导体产业会议Memcon 2024上表示,2025年后将进入3D DRAM时代。
三星预计,DRAM产业将于2030年前将制程压缩至10nm以下,现有设计方案更难扩展。因此,很多厂商正在开发3D DRAM多种创新型设计,以提高內存性能。
报道称,三星展示两项3D DRAM技术,包括垂直信道晶体管(Vertical Channel Transistor)和堆叠DRAM(Stacked DRAM)。相较传统晶体管结构,垂直信道晶体管将信道从水准变为垂直,大幅减少元件面积,但提升刻蚀精确度要求。
相较2D DRAM结构,堆叠DRAM可充分利用Z轴向空间,较小面积容纳更多存储单元,单晶片容纳提升至100G以上。有研究机构预计,3D DRAM市场发展,有望2028年达千亿美元规模。
而为了与其他內存制造商竞争,三星今年年初已经在美国硅谷设立新3D DRAM研发实验室,以开发先进內存。
编辑:芯智讯-林子
发布于:广东
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