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传三星HBM3E未通过英伟达验证,原因或与台积电有关

来源:晰数塔互联网快讯 时间:2024年05月16日 18:57

存储芯片大厂美光、SK海力士和三星分别于2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达(NVIDIA)送去了八层垂直堆叠的24GB HBM3E样品以供验证,随后在2024年初,美光和SK海力士的HBM3E都通过英伟达的验证,并获得了订单,三星HBM3E却并未通过验证。

根据业内消息显示,三星HBM3E至今未通过英伟达验证的关键是卡在了台积电。因为英伟达的AI芯片和采购的HBM芯片是交由台积电的CoWoS先进封装工艺进行封装的,所以台积电也是英伟达对HBM3E进行验证的重要参与者。传闻英伟达和台积电最终采用的是SK海力士的HBM3E作为验证标准,而三星HBM3E与SK海力士在工艺上存在差异,且良率相对较低,这也是导致认证未通过的关键。

此前的消息显示,因为三星坚持使用非导电性胶膜(Non-Conductive. Film,TC-NCF)技术,因而导致了其HBM面临一些生产问题。相较之下,SK海力士率先改用批量回流模制底部填充(mass reflow molded underfill,MR-MUF)技术,解决了NCF弱点,也成为第一家供应HBM3芯片给英伟达的厂商。

针对三星八层垂直堆叠HBM3E没有通过英伟达与验证,是因为有缺陷的传闻,三星最新回应称,传闻不正确,并重申其提供最佳产品的承诺。市场人士表示,如果检测标准调整,三星HBM3E就能通过验证。

编辑:芯智讯-林子

发布于:广东

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