传三星HBM3E未通过英伟达验证，原因或与台积电有关

存储芯片大厂美光、SK海力士和三星分别于2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达（NVIDIA）送去了八层垂直堆叠的24GB HBM3E样品以供验证，随后在2024年初，美光和SK海力士的HBM3E都通过英伟达的验证，并获得了订单，三星HBM3E却并未通过验证。

根据业内消息显示，三星HBM3E至今未通过英伟达验证的关键是卡在了台积电。因为英伟达的AI芯片和采购的HBM芯片是交由台积电的CoWoS先进封装工艺进行封装的，所以台积电也是英伟达对HBM3E进行验证的重要参与者。传闻英伟达和台积电最终采用的是SK海力士的HBM3E作为验证标准，而三星HBM3E与SK海力士在工艺上存在差异，且良率相对较低，这也是导致认证未通过的关键。

此前的消息显示，因为三星坚持使用非导电性胶膜（Non-Conductive. Film，TC-NCF）技术，因而导致了其HBM面临一些生产问题。相较之下，SK海力士率先改用批量回流模制底部填充（mass reflow molded underfill，MR-MUF）技术，解决了NCF弱点，也成为第一家供应HBM3芯片给英伟达的厂商。

针对三星八层垂直堆叠HBM3E没有通过英伟达与验证，是因为有缺陷的传闻，三星最新回应称，传闻不正确，并重申其提供最佳产品的承诺。市场人士表示，如果检测标准调整，三星HBM3E就能通过验证。

编辑：芯智讯-林子

发布于：广东

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