三星HBM因散热与功耗问题未通过英伟达认证
5月24日消息,据路透社引述市场人士的说法称,三星最新的高带宽內存(HBM)芯片由于散热和功耗问题,导致其尚未通过GPU大厂英伟达(NVIDIA)的测试认证。
对此,三星在给路透社的声明中表示,HBM是一款定制化內存产品,需要根据客户需求进行优化流程。现阶段,公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。不过,三星拒绝对特定客户发表评论,辉达方面也同样拒绝评论。
报导指出,HBM于2013年首次推出,其中的DRAM芯片透过垂直堆叠来节省空间,并降低功耗,有助于处理复杂的人工智能应用所产生的大量数据。随着生成式AI热潮对GPU的需求激增,对HBM的需求也激增。目前英伟达拿下了全球AI GPU市场超过80%的市占率,所以能打入英伟达的HBM供应链就成为供应商未来成长的关键。
因此,市场人士表示,自2023年以来,三星一直在努力通过英伟达对HBM3和HBM3E等产品的认证。不过,最近英伟达对三星8层和12层堆叠的HBM3E芯片的认证失败结果已经于四月之际公布。
对此,市场人士指出,尚不清楚这些问题是否可以轻易解决。然而,未能通过英伟达的要求增加了业界和投资者的担忧,使得三星可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光科技。目前SK海力士和美光的HBM产能已经被预定一空,即便是2025年的产能也已经被预定。
编辑:芯智讯-林子
发布于:广东
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