三星实现技术突破，将3D DRAM堆叠到16层

（全球TMT2024年5月29日讯）科技媒体DIGITIMES Asia报道，三星电子(Samsung Electronics)已成功将下一代3D DRAM堆叠到16层，是其竞争对手美光(Micron)的两倍。

三星执行副总裁Lee Si-woo在最近的一次采访中提到，他们已经成功地将3D DRAM堆叠到16层。相比之下，美光只实现了8层。然而，3D DRAM产品目前处于可行性验证阶段，目标是到2030年实现商业化。

Lee Si-woo曾在美光担任DRAM研发主管，并于2023年8月加入三星电子。3D DRAM采用垂直堆叠的方式，单位面积容量可以增加3倍，从而实现海量数据的快速处理。三星电子的目标是在3D DRAM技术上扩大与竞争对手的差距。

Lee Si-woo所说的3D DRAM是垂直堆叠单元阵列晶体管(VS-CAT)。与现有的DRAM结构相比，3D DRAM可以包含更多的存储单元并减少电子干扰。与传统DRAM不同，VS-CAT风格的3D DRAM采用双硅晶圆设计。预计3D DRAM将采用晶圆对晶圆(W2W)混合键合技术进行生产，该技术已用于NAND和CMOS图像传感器(CIS)。

同时，三星电子也在研究垂直通道晶体管(VCT)型3D DRAM。业界也将VCT风格的3D DRAM称为4F SQUARE，其最显著的特点是垂直导向的晶体管结构。此外，三星电子还首次提出了将BSPDN (Backside Power Delivery Network)技术应用于DRAM的可能性。BSPDN被认为是高难度技术，三星计划在2025年之前将BSPDN技术引入2nm工艺。

发布于：天津

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