首页科技快讯荷兰ASML阿斯麦Hyper NA EUV光刻机将可量产0.2nm工艺制程芯片

荷兰ASML阿斯麦Hyper NA EUV光刻机将可量产0.2nm工艺制程芯片

来源：晰数塔互联网快讯时间：2024年06月18日 06:06

荷兰ASML阿斯麦的EUV光刻机技术是当今半导体产业中最先进的光刻技术没有之一，特别是在制造先进芯片方面。近日，荷兰ASML阿斯麦公司宣布未来将推出的Hyper NA EUV光刻机，将可量产0.2nm工艺制程芯片。

ASML阿斯麦Hyper NA EUV光刻机将可量产0.2nm工艺制程芯片

目前，ASML已经开发出了三种不同类型的EUV光刻机：Low NA、High NA 和 Hyper NA，每种类型都在推动半导体技术的极限。

ASML阿斯麦Hyper NA EUV光刻机将可量产0.2nm工艺制程芯片

Low NA EUV光刻机

这类光刻机的孔径数值为0.33，代表产品是Twinscan NXE系列，包括NXE:3400B/C、3600D、3800E，以及未来的4000F、4200G、4X00型号。这些光刻机可以支持到2025年量产2nm芯片，再往后则需要采用多重曝光技术，预计到2027年能实现1.4nm的量产。

High NA EUV光刻机

这是ASML最新的技术突破，孔径数值升级到了0.55，代表产品是Twinscan EXE系列，包括EXE:5000、5200B，以及未来的5400、5600、5X00型号。High NA EUV光刻机的分辨率达到了8nm，能够从2nm以下的工艺起步。例如，Intel首发的14A 1.4nm工艺就使用了这种光刻机。预计到2029年，High NA EUV光刻机能够实现1nm工艺的量产，并有望在2033年前后达到0.5nm的量产。

Hyper NA EUV光刻机

ASML还在研究更先进的Hyper NA EUV光刻机，预计孔径数值将达到0.75甚至更高。这种光刻机预计将在2030年前后推出，对应的产品命名为HXE系列。Hyper NA EUV光刻机可能会实现0.2nm甚至更先进工艺的量产，但目前还不能完全肯定。