首页科技快讯 ASML“掀老底”，称3nm芯片实际为23nm，我们竟被芯片企业营销了

ASML“掀老底”，称3nm芯片实际为23nm，我们竟被芯片企业营销了

来源：晰数塔互联网快讯时间：2024年06月20日 19:59

如何评价网传 ASML「掀老底」称 3nm 芯片实际为 23nm，1nm 芯片是 18nm？近日，ASML在公布自己的EUV光刻机路线图时，更是将各大晶圆厂的老底掀开了，ASML的PPT，非常清楚的指出了各大晶圆工艺，对应的金属半节距，如果按照最开始芯片工艺的说法，这个才是实际的芯片工艺。如上图所示，N3（3nm工艺）对应的是23nm，N2（2nm工艺）对应的是22nm，A14(1.4nm工艺)对应的是21nm。A10也就是1nm时，对应的是18nm，A7也就是0.7nm时，应对的是18-16nm，甚至到A2，也就是0.2nm时，实际金属半间距是16-12nm。

在评价这个问题之前，我们需要了解一下背景知识。半导体工艺节点的命名，如7nm、5nm、3nm等，并不直接对应实际的物理尺寸，而是行业内约定俗成的一种命名方式。这些数字大致反映了晶体管的密度和性能水平，但并不是严格的几何度量。随着工艺技术的进步，这种命名与实际物理尺寸之间的差异变得越来越大。

ASML作为全球领先的光刻机制造商，其公布的EUV光刻机路线图和晶圆工艺数据具有很高的参考价值。这些数据揭示了实际芯片工艺与宣传工艺之间的差距，对于了解半导体行业的真实情况具有重要意义。ASML的曝光事件对全球芯片行业产生了显著影响，特别是对于那些依赖ASML先进光刻机的公司。

根据ASML的PPT，我们来复盘总结下关键数据：

N3（3nm工艺）实际对应的金属半节距为23nm。N2（2nm工艺）实际对应的金属半节距为22nm。A14（1.4nm工艺）实际对应的金属半节距为21nm。A10（1nm工艺）实际对应的金属半节距为18nm。A7（0.7nm工艺）实际对应的金属半节距为18-16nm。A2（0.2nm工艺）实际对应的金属半节距为16-12nm。

从这些数据中，我们可以得出以下几点结论：

1、实际芯片工艺与宣传工艺之间存在差距。这可能是因为宣传工艺是基于晶体管的物理尺寸，而实际工艺受到多种因素的影响，如光刻机的分辨率、材料的性质等。

2、随着工艺的进步，实际工艺与宣传工艺之间的差距逐渐缩小。这表明随着技术的发展，半导体行业正在逐步克服各种技术难题，提高芯片的制造精度。随着技术的发展，实现更小制程的技术难度呈指数级增长。为了继续推进摩尔定律，工程师们不得不采用越来越复杂的设计和制造技术，这导致了实际物理尺寸与工艺节点名称之间的差距。