投资38.7亿美元!SK海力士印第安纳州HBM工厂获4.5亿美元补贴
当地时间8月6日,美国拜登政府宣布,美国商务部已与SK海力士签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT)。美国商务部将根据《芯片与科学法案》向SK海力士提供高达4.5亿美元的联邦激励措施,以帮助其在美国建立高带宽内存(HBM)先进封装制造和研发(R&D)设施。
拟议的“芯片法案”补贴建立在SK海力士在印第安纳州西拉斐特投资约38.7亿美元的基础之上,该投资旨在建设一个用于人工智能(AI)产品的HBM封装工厂和一个先进封装研发设施,将创造约1,000个新工作岗位,并填补美国半导体供应链的关键缺口。
据了解,SK海力士在印第安纳州西拉斐特兴建HBM研发和制造设施的计划,是建立在SK集团此前宣布的数十亿美元投资美国制造业的承诺之上,包括电动汽车电池和生物技术。该承诺是SK集团在2022年7月与美国总统拜登会晤时宣布的。通过对全球领先的 HBM 生产商 SK 海力士的拟议补贴,将在推进美国人工智能供应链安全方面迈出有意义的一步。通过这一计划的宣布,美国将与全球五大领先的逻辑、内存和先进封装供应商达成初步协议。目前世界上没有其他经济体拥有两家以上的此类公司在其海岸生产领先的芯片。
SK海力士在普渡大学研究园兴建的西拉斐特工厂将拥有一条先进的半导体封装线,该生产线将大规模生产下一代HBM。这些高性能内存芯片是图形处理单元 (GPU) 的关键组件,由于其处理能力增强,它们可以训练 AI 系统。这款下一代芯片将在西拉斐特工厂大规模生产,并将拥有比该公司最新的HBM更先进的性能,HBM每秒处理高达1.18 TB的数据,相当于230部全高清电影。该工厂预计将于 2028 年下半年开始量产。
基于这项拟议的投资,SK海力士还将与普渡大学合作在印第安纳州建立一个研究中心,普渡大学拥有美国大学中同类设施中最大的设施,同时将下一代HBM和先进封装研发带到美国。下一代 HBM 将与普渡大学一起在这个生态系统中研发、大规模生产和封装,将在美国半导体生态系统中发挥重要作用,并推动美国的技术领导地位。
SK海力士将与普渡大学合作制定未来研发项目计划,其中包括与普渡大学的伯克纳米技术中心以及其他研究机构和行业合作伙伴合作开发先进封装和异构集成。SK海力士计划在以内存为中心的解决方案和生成式AI架构项目上开展合作,特别是内存设计和内存内/近内存计算。作为员工发展工作的一部分,SK海力士计划与普渡大学(Purdue University)和常春藤科技社区学院(Ivy Tech Community College)合作,开发培训项目和跨学科学位课程,以培养高科技劳动力并建立可靠的新人才管道。此外,SK海力士计划通过建立合作伙伴关系,提供社区发展、成长机会和领导力培训,支持普渡大学研究基金会(Purdue Research Foundation)以及当地其他非营利组织和慈善机构的工作。
美国商务部长吉娜·雷蒙多(Gina Raimondo)表示:“拜登政府的《芯片与科学法案》是一个千载难逢的机会,可以增强美国的全球技术领导地位,并在此过程中创造高质量的就业机会。今天与SK海力士的历史性宣布将进一步巩固美国的人工智能硬件供应链,这是全球其他国家无法比拟的,先进半导体制造和封装领域的每个主要参与者都在我们的海岸上建设或扩张。“由于拜登总统和哈里斯副总统的领导,我们正在印第安纳州创造数百个新工作岗位,并确保印第安纳州和普渡大学在推进美国的国家安全和供应链方面发挥关键作用。”
SK海力士首席执行官郭能贞(Kwak Noh-Jung)表示:“我们非常感谢美国商务部的支持,并很高兴能合作实现这一转型项目。我们正在推进印第安纳州生产基地的建设,与印第安纳州、普渡大学和我们的美国商业伙伴合作,最终从西拉斐特供应领先的人工智能内存产品。我们期待建立一个新的人工智能技术中心,为印第安纳州创造熟练的就业机会,并帮助为全球半导体行业建立一个更强大、更有弹性的供应链。”
SK海力士还表示,计划向财政部申请投资税收抵免,预计该抵免将高达合格资本支出的25%。除了拟议的高达4.5亿美元的直接资金外,CHIPS项目办公室还将提供高达5亿美元的拟议贷款,这是《芯片与科学法案》规定的750亿美元贷款授权的一部分,供SK海力士根据不具约束力的PMT提供。
编辑:芯智讯-浪客剑
发布于:广东
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网址: 投资38.7亿美元!SK海力士印第安纳州HBM工厂获4.5亿美元补贴 http://www.xishuta.com/newsview123618.html
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