首页科技快讯美国要慌了！国产65nm光刻机实现量产，可多重曝光制造8nm芯片

美国要慌了！国产65nm光刻机实现量产，可多重曝光制造8nm芯片

来源：晰数塔互联网快讯时间：2024年09月15日 10:19

根据工业和信息化部的信息，中国已经实现了65nm光刻机的量产，并且可以通过多重曝光制造8nm芯片。

很多人可能不知道，采用ArF光源，也就是193nm波长的光源，这是第四代光刻机，这也标志着中国和ASML在光刻机上仅有1代的差距。

光刻机发展这么久，最主要的还是所使用的光源的改进，每次光源的改进都显著提升了光刻机的工艺制程水平，以及生产的效率和良率。

目前来说，光刻机共经历了五代的发展，从最早的436波长，再到第二代光刻机开始使用波长 365nm i-line，第三代则是 248nm 的 KrF 激光。第四代就是 193nm 波长的 DUV 激光，这就是著名的 ArF 准分子激光。

此次公开的第四代光刻机，单次曝光就只可以直接生产65nm芯片，如果使用套刻精度在1.9nm左右的工作台，在多次曝光下能够实现11nm制程工艺的芯片生产。如果改用套刻精度更优的华卓精科工作台（1.7nm），在多重曝光下更是能够实现8nm-7nm制程工艺的芯片生产。

一旦可以制造8nm芯片，就可以解决半导体产业大部分的需求，因为芯片制造6大设备，扩散炉、刻蚀机，离子注入设备、薄膜生长设备、抛光机和清洗剂，中国目前都处在主流水平，其中刻蚀机更是达到了5nm，完全可以完成8nm芯片的制造需求。

而目前光刻机材料如电子特气、光刻胶等也在加速国产化，南大光电目前已经可以生产出7nm的光刻胶。

这也就意味着，中国当前已经具备了打造纯国产芯片产业链的可能性。这不仅能够解决芯片代工被限制的问题，打破国外厂商的对于IC前端光刻机市场的垄断，而且能够覆盖更为广阔的市场需求，促进国产半导体行业的发展。

可以说，实现65纳米光刻机，意味着军事独立中国军事上用的芯片，可以不用进口和走私，在整个西方国家封锁的条件下，在西太平洋战胜美国。

实现28纳米光刻机，意味着工业独立。中国的空调洗衣机汽车等各类工业品，可以在西方国家脱钩断链技术制裁的情况，自主生产销售。

实现7纳米光刻机，意味着中国电子产业独立。绝大部分的手机芯片，电脑硬盘内存cpu显示器等各类电子产业，都能摆脱国外限制。

很多人觉得65nm落后，但你知不知道，2000年就已经出来的130nm芯片，这个比65nm还落后两代的货，目前全球仍只有30家企业有能力制造。

至于大家非常关心的第五代EUV光刻机，预计在2030年量产，由长春光机所来进行研发，2008年国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项将EUV光刻技术列为“32-22nm装备技术前瞻性研究”重要攻关任务。

长春光机所联合中国科学院光电技术研究所、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院微电子研究所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学开展了“极紫外光刻关键技术研究”项目研究工作。

长春光机所90年代就已经开始预研EUV技术，2017年，长春光机所承担的国家科技重大专项项目“极紫外光刻关键技术研究”顺利通过验收，突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术，成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，构建了EUV 光刻曝光装置，国内首次获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形，建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台。