三星HBM3E仍未通过英伟达认证,根源在1a制程DRAM?
10月17日消息,据韩国媒体ZDNet Korea报导,虽然三星今年以来积极地想通过英伟达HBM3E认证,期望打入英特尔的供应链,但8层堆叠的HBM3E产品仍未通过认证,12层堆叠的产品很可能将延后至2025年第二季或第三季之后才有机会供应。
有专家指出,三星HBM的问题就是核心芯片DRAM。HBM结构是将多个DRAM垂直堆叠连接,DRAM性能与HBM性能直接相关。因此怀疑用于三星HBM3E的DRAM,即三星1a制程第四代DRAM出了问题。
报道解释称,10nm级制程DRAM产品,分为第一代1x制程、第二代1y制程、第三代1z制程、第四代1a制程和目前主流的第五代1b制程。第四代1a制程DRAM线宽约14nm,三星于2021下半年量产,尽管比对手早,还用了EUV来提高产能,但未让三星1a制程DRAM竞争力提升,反而因用EUV难度较高,让三星1a制程DRAM生产成本迟迟无法下降。
另外,三星1a制程DRAM设计不够完美,尤其服务器产品开发受挫,使商用较竞争对手落后。SK海力士2023年1月1a制程DRAM的DDR5服务器产品率先通过英特尔认证,而三星HBM3E却迟迟无法通过英伟达认证。
三星日前平泽产线全面清查英伟达认证过八层堆叠HBM3E产品,但没有问题,三星自行检查只查出数据处理速度低于其他产品,较SK海力士和美光产品低约10%。
三星考虑新方法,就是部分重新设计1a制程DRAM,之后再恢复服务器DRAM和HBM产品竞争力。市场人士表示,三星还未最后决定。但若重新设计,三星须承受更大营运压力。
目前三星正面临半导体业务获利压力,此外智能手机、家电、显示器等部门都面临困境。此前由于三季度营业利润低于市场预期,三星电子还罕见地发布声明致歉。
编辑:芯智讯-浪客剑
发布于:广东
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