俄罗斯放大招了?自研EUV光刻机,11.2nm光源,比ASML更先进
目前在芯片行业,大规模制造采用的均是光刻工艺。
而光刻工艺下,最重要的设备就是光刻机,而光刻机与芯片制程,也是一一对应的。
如下图所示,不同的光刻机,采用不同的光源,对应不同的工艺制程。
目前最先进的是EUV光刻机,采用13.5nm波长的光源,可以制造7nm及以下的芯片。
而EUV光刻机,全球仅ASML一家能够制造出来,其它所有厂商,都无法制造。而ASML又听话,不能将EUV光刻机卖给中国、俄罗斯这样的国家。
所以说,是ASML卡住了所有想进入7nm以下工艺的晶圆的脖子,包括中国晶圆厂,也包括俄罗斯的晶圆厂。
所以一直以来,众多的企业,都在研发光刻机,特别是EUV光刻机,或者绕开EUV光刻机,找到另外的,可以进入7nm工艺以下的路线。
佳能采用的是NIL纳米压印技术,但其缺点很多,比如产能很低,无法大规模量产芯片。
而俄罗斯,之有也表示要用X射线来研发这样的光刻机,但事实证明,俄罗斯也只是想一想,利用X射线,无法实现7nm以下芯片的光线,精度达不到。
而近日,有媒体报道称,兜兜转转几年之后,俄罗斯觉得X射频不行,还是要采用EUV方案才行,要研发EUV光刻机
不过ASML现在的EUV方案,俄罗斯肯定实现不了,用激光来轰击锡珠,最后产生极紫外线,这个俄罗斯也办不到,毕竟很多供应链已经被ASML绑定了,所以只能另辟蹊径。
俄罗斯计划采用11.2nm的镭射光源,比ASML的13.5nm波长更短,那么理论上精度会更高,更为先进。
而如何产生11.2nm波长的光源?俄罗斯的做法是利氙(xenon)基镭射光源,说是这样比ASML 的EUV系统更经济。
不过,说实话,吹牛大家还是会的,俄罗斯能不能做出来,很多人还是有疑问的,毕竟现在俄罗斯连90nm的光刻机都制造不出来,一步就想登天到EUV,怎么可能?
所以外界猜测,就算俄罗斯真的有这打算,那至少需要上十年的时间来研发,还要花费巨资,而俄罗斯明显没有这个实力和能力,所以只是吹牛而已。
不过,假如这个方案是可行的,俄罗斯研发不出来,我们未必研发不出来啊,但问题这个方案究竟行不行,谁也不清楚。
发布于:湖南
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