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SEMI：今年将有18座新晶圆厂开工，中国大陆有3座

来源：晰数塔互联网快讯时间：2025年01月08日 19:59

来源：半导体产业纵横

新晶圆厂建设开启增长新纪元。

根据 SEMI 最新的全球晶圆厂预测季度报告，半导体行业预计将在 2025 年启动 18 个新晶圆厂建设项目。新项目包括三座 200 mm和十五座 300 mm设施，其中大部分预计将于 2026 年至 2027 年开始运营。

2025 年各地区开始建设的新半导体晶圆厂

2025年，美洲和日本是领先地区，各有4个项目。美洲在半导体领域一直处于领先地位，拥有先进的技术和强大的科研实力，且在人工智能、高性能计算等新兴领域发展迅速，对半导体芯片的需求持续增长，这促使企业加大在本土建设晶圆厂的力度，以满足自身及周边市场的需求。日本在半导体产业有着深厚的技术积累和产业基础，虽然近年来在全球市场份额有所变化，但依然在一些关键技术和领域保持优势。随着全球对半导体需求的多元化，日本为了巩固其在行业内的地位，进一步加大投资建设新的晶圆厂，以提升产能和技术水平。

中国和欧洲及中东地区并列第三，计划建设3个项目。中国积极推进芯片自给自足战略，旨在减少对进口芯片的依赖，提升国家信息安全和产业竞争力。同时，国内汽车、物联网等产业的快速发展，对半导体芯片的需求与日俱增，为新晶圆厂的建设提供了广阔的市场空间。欧洲及中东地区在半导体领域也有一定的技术沉淀和产业布局，随着全球半导体产业的复苏和新兴应用的兴起，该地区希望通过建设新的晶圆厂，进一步提升在全球半导体市场的份额，满足本地及周边地区的市场需求。

中国台湾计划建设2个项目，其在半导体代工领域具有强大的优势，凭借先进的技术和成熟的产业生态，一直是全球半导体产业的重要参与者。为了保持其领先地位，满足不断增长的市场订单需求，中国台湾的企业继续投资建设新的晶圆厂。

而韩国和东南亚在2025年各有1个项目。韩国的半导体产业以三星等企业为代表，在存储芯片等领域占据重要地位，建设新晶圆厂是为了进一步巩固其在全球市场的优势，应对市场竞争和需求变化。东南亚地区则凭借其较低的劳动力成本和逐渐完善的产业配套，吸引了部分半导体企业投资建厂，虽然目前项目数量较少，但也显示出该地区在半导体产业方面的发展潜力。

SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示：“半导体行业已经到达一个关键时刻，投资推动着尖端和主流技术的发展，以满足不断变化的全球需求。生成式人工智能和高性能计算正在推动尖端逻辑和内存领域的进步，而主流节点继续支撑汽车、物联网和电力电子领域的关键应用。18座新的半导体晶圆厂将于2025年开始建设，这表明该行业致力于支持创新和显著的经济增长。”

2024年第四季度的《全球晶圆厂预测》报告涵盖2023年至2025年，报告显示全球半导体行业计划开始运营97座新的高容量晶圆厂。其中包括2024年的48个项目和2025年将启动的32个项目，晶圆尺寸从300mm到50mm不等。

先进节点引领半导体产业扩张

预计半导体产能将进一步加速，预计年增长率为6.6%，到2025年每月晶圆总量将达到3360万片(wpm)。这一扩张将主要受到高性能计算(HPC)应用中前沿逻辑技术的推动，以及生成式AI在边缘设备中的日益普及。生成式AI在边缘设备中的应用越来越广泛，对芯片的计算能力和能效比提出了更高的要求，促使半导体企业加大对先进节点技术的研发和生产投入。

半导体行业正在加大力度构建先进的计算能力，以应对大型语言模型(LLM)不断增长的计算需求。芯片制造商正在积极扩大先进节点容量（7nm及以下），预计到2025年，先进节点容量将以行业领先的16%的年增长率增长，每分钟传输速度将增加30多万次，达到每分钟传输速度的220万次。

受中国芯片自给自足战略以及汽车和物联网应用预期需求的推动，主流节点（8nm~45nm）预计将再增加6%的容量，并在2025年突破1500万wpm的里程碑。汽车智能化和物联网的快速发展，需要大量的主流节点芯片来实现各种功能，如汽车的自动驾驶系统、智能交通管理等，以及物联网设备的连接、数据处理等。

成熟技术节点（50nm及以上）的扩张较为保守，反映出市场复苏缓慢且利用率较低。一方面，随着技术的进步，市场对先进节点芯片的需求增长较快，对成熟技术节点芯片的需求相对稳定；另一方面，部分成熟技术节点芯片的应用领域受到新兴技术的冲击，导致市场需求萎缩，进而影响了产能的扩张。预计该部分将增长5%，到2025年达到1400万wpm。

晶圆代工部门产能继续强劲增长

预计代工厂供应商将继续成为半导体设备采购的领导者。代工厂部门的产能预计将同比增长 10.9%，从 2024 年的 1130 万 wpm 增至 2025 年创纪录的 1260 万 wpm。

整体内存领域显示出可观的容量扩张，2024年将温和增长3.5%，2025年将增长2.9%。然而，强劲的生成式AI需求正在推动内存市场发生重大变化。高带宽内存(HBM)正在经历显著的增长，由于生成式AI等应用需要处理大量的数据，对内存的带宽和速度要求极高，HBM正好满足了这一需求，导致DRAM和NAND闪存领域之间的容量增长趋势出现分歧。

DRAM领域预计将保持强劲增长，预计到2025年将同比增长约7%，达到450万wpm。相反，3D NAND的安装容量预计将增长5%，在同一时期达到370万wpm。

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