上海华虹宏力申请闪存及其制作方法专利，增加字线关断能力

金融界2025年1月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“闪存及其制作方法”的专利，公开号CN 119255606 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种闪存及其制作方法，包括：提供衬底，在衬底上依次形成介质层、浮栅层、层间绝缘层、控制栅层和牺牲层，在开孔内的牺牲层侧壁形成第一侧墙；刻蚀控制栅层和层间绝缘层直至露出浮栅层；形成的第二侧墙覆盖层间绝缘层、控制栅层和第一侧墙的侧壁；沿着第二侧墙刻蚀浮栅层和介质层，露出衬底；形成的第三侧墙至少覆盖浮栅层的侧壁；刻蚀第三侧墙暴露出的衬底，形成沟槽；字线氧化层覆盖沟槽表面、介质层和浮栅层的侧壁、第二侧墙侧壁；形成字线。通过增加字线底部衬底硅的刻蚀，形成沟槽，亦即形成字线沟道，增加字线沟道长度，提升字线关断能力。在不增加器件面积的情况下，通过衬底硅的刻蚀量，调节字线的关断能力。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币，实缴资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目840次，知识产权方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可427个。

发布于：北京

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