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潮科技 | 中科院院士、“中国功率半导体领路人”陈星弼在成都逝世，享年89岁

来源：晰数塔互联网快讯时间：2019年12月05日 13:54

编者按：本文来自 “集微网”，作者@乐川，原文题目《中科院院士、“中国功率半导体领路人”陈星弼在成都逝世，享年89岁》，36氪经授权发布，略有删减。

据集微网报道，被誉为“中国功率半导体领路人”、国际学术界“高压功率器件新的里程碑”的中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼，于12月4日17时10分，因病医治无效在成都逝世，享年89岁。陈星弼院士生于上海，祖籍浙江省浦江县，是国际著名微电子学家，教授、博士生导师。

陈星弼院士是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是电子部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师且得到第一个博士点。1952年从同济大学电机系毕业毕业后，陈星弼先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作，1956年开始在成都电讯工程学院任教。1980年代，他作为访问学者，先后在美国俄亥俄州大学、加州大学伯克莱分校访学，被聘为加拿大多伦多大学客座教授、英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长，并于1999年当选为中国科学院院士，后在 2001年加入九三学社。

国内、国际学术界的领路人和里程碑

陈星弼院士是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。他从1981年就开始研究半导体功率器件，在中国首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件，并在国际上第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。80年代末他提出了两种新的耐压层结构，并作了唯一的三维电场分析。其中超结结构大大突破了功率器件的硅极限，被称为“功率器件的新里程碑”。其美国发明专利US 5216275已被超过400个美国发明专利引用，中国因此获得78万美元的专利转让费。超结MOS器件已达到约10亿美元的年销售额。他还提出了最佳表面横向变掺杂的理论及横向新结构，在无需BCD技术而只用常规IC工艺的情况下，以最小面积研制出电学性能更好的高低侧功率器件。

陈院士近期的其它重要发明还包括高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种多数载流子导电的器件等。

一生成就斐然

陈星弼院士一生成就包括著书7本、200余篇已发表的学术论文、20项获批的美国发明专利、17项获批的中国发明专利及申请的1项国际发明专利。此外，他先后荣获国家技术发明奖及国家科技进步奖2项，省部级奖励13项并完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。2018年，陈星弼院士在功率半导体领域最顶级的学术年会上，成为国内首位入选ISPSD首届名人堂的华人科学家。

同龄人大多都已退休赋闲，陈星弼院士却在科研第一线奋战了几十年。陈星弼院士在接受媒体采访时曾表示，只有科学的趣味是无限的；在科学的道路上，遇到困难、解决困难就是一种幸福。

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