首页科技快讯英特尔CPU供应短缺问题可能持续全年，或被AMD抢走更多份额

英特尔CPU供应短缺问题可能持续全年，或被AMD抢走更多份额

来源：晰数塔互联网快讯时间：2020年01月19日 10:28

编者按：本文来自腾讯科技，36氪经授权发布。

1月18日消息，据外媒报道，知名科技媒体DigiTimes日前发布最新报告，称其预计英特尔的CPU供应短缺问题将贯穿2020年全年，为此其许多合作伙伴可能改用AMD的同类产品。

这可能并不特别令人感到惊讶。英特尔之前承认自己陷入进退两难的境地，其首席执行官鲍勃·斯旺(Bob Swan)对他们目前的处境做出了非常坦率的解释。然而，这确实意味着AMD将从英特尔手中蚕食更多的市场份额，因为原始设备制造商（OEM）和显卡厂商（AIB）不得不改用AMD部件来维持销量，因为英特尔的代工工厂正以最高产能运转，但依然无法满足需求。英特尔无法满足的每一份芯片订单，都意味着AMD获得了新的市场份额。

即使英特尔的芯片溢价出货也于事无补。在供不应求的情况下，现在采取措施遏制溢价没有任何意义。OEM/AIB厂商不得不将这些成本转嫁给那些无论如何可能更喜欢选择英特尔产品的消费者。如果有一件事我们可以肯定的话，那就是2020年将是攸关英特尔成败的关键一年，该公司的情况要到2021年末才可能开始好转。

英特尔目前正在努力的一件事是，从理论上讲，7 nm工艺的进展应该不会受到10 nm延迟的影响，因为这是个基于EUV光刻的独立工艺，虽然它可能不会帮助英特尔重新保持领先地位，但应该会在工艺技术方面创造公平的竞争环境。市场研究机构Gartner的报告显示，英特尔最近重新夺回了“世界第一代工企业”的桂冠。这是一个令人印象深刻的成就，显示出他们的代工厂现在是多么庞大。

到目前为止我们所知道的是：第一款7 nm工艺产品将于2021年第四季度发布，英特尔首席执行官鲍勃·斯旺(Bob Swan)解释了10 nm工艺出了什么问题。此外，斯旺也坦率地回答了一个最尖锐的问题，即英特尔是如何陷入CPU市场份额被AMD抢走、无法满足需求的境地的，这与其一贯信奉的哲学理念形成了鲜明对比，即优先处理错误，谨慎行事，始终拥有闲置的制造能力。

斯旺解释称：“我们之所以会陷入如今的困境中，实际上源于三方面的原因：第一，我们陷入困境的速度比我们预期的要快得多，2018年对CPU和服务器的需求增长也比我们预期的要快得多。请记住，我们进入2018年时预计增长幅度为10%，但实际上增长了21%，所以好消息是，在我们转型为以数据为中心的公司的过程中，对我们产品的需求远远高于我们的预期。”

他继续称：“第二，我们占据了智能手机调制解调器100%的市场份额，我们决定在我们的晶圆厂建造它，因此我们承担了更多的需求压力。第三，雪上加霜的是，我们推出了10 nm工艺，当这种情况发生时，我们需要在上一代产品中增加越来越多的性能，这意味着有更多的内核数量和更大的芯片尺寸。鉴于这三个因素——增长速度比我们想象的要快得多，内部生产调制解调器以及延迟10 nm工艺，都导致我们没有灵活的产能。”

虽然大部分都是旧消息，但这是英特尔首次就无法满足需求的原因给出确凿的理由，即它决定在内部生产智能手机调制解调器，这反过来意味着他们无法专注于CPU方面的事情。这也是个相当合理的解释，即为何英特尔甚至不能再满足14纳米的需求，而不得不求助于扩展22nm的产品。

当被特别要求解释哪里出了问题时，斯旺坦率地回答说，他承认英特尔对自己击败行业标准的能力过于自信，并为此承担了后果。以下是鲍勃给出的解释，他称之为“疤痕组织”。

斯旺说：“疤痕组织实际上从摩尔定律诞生之初就出现了。而摩尔定律已经奏效了很长时间，从40nm过渡到22nm，然后从14nm过渡到10nm，我们发现，尽管物理方面变得越来越有挑战性，但我们还是决定在性能方面为自己设定更高的标准。因此，22nm到14nm的过渡不是2倍的晶体管密度，而是2.4倍，这导致我们一路走来遭遇了许多坎坷，但它是有效的，这种工作给了我们信心。那么，在从14nm过渡到10nm时，我们为何不将密度提高到2.7倍？在尝试获得越来越高的密度性能时，问题也就随之出现。”

斯旺接着称：“其次，我们不会像考虑7nm那样尝试进行2.4倍或2.7倍的密度增加，如你们所知，当我们考虑到5nm时，我们会将密度降至2倍，这与历史趋势一致。我还认为，关于10nm的挑战中的另一个积极方面是，在此过程中，学会了如何让14nm变得更好，我们有14+、14++，尽管已经在同一个节点上工作了四年，现在芯片的性能随着我们达到10nm工艺而不断提高。”

随着英特尔追逐7 nm工艺的2倍晶体管密度，并转向EUV技术，该公司似乎已经准备好在2021年第四季度推出首批7 nm产品(相当于台积电的5 nm)。斯旺还进一步表示，他预计到2024年将实现5 nm工艺(相当于台积电3 nm)。（腾讯科技审校/金鹿）