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突发：美光告福建晋华专利侵权，遭美联邦法院驳回

来源：晰数塔互联网快讯时间：2019年02月11日 22:21

（来源：美光）

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　　文/连于慧

　　来源：DeepTech深科技（ID:deeptechchina）

　　福建晋华和美系存储大厂美光（Micron）之间的战争延续多时，2019 年初传来新进展，针对美光在 2017 年底在美国对福建晋华提出的专利侵权诉讼，日前已遭美国联邦法院驳回，理由是晋华的产品并没有在美国销售，即使晋华有侵权的事实，美法院也没有管辖权，但美光针对此案有权再补件说明，业界表示，美光可能会再补件，继续告下去。

　　在此厘清的一点是，美光告福建晋华、联电的专利侵权案是发生在 2017 年 12 月底，该案与 2018 年 11 月美国司法部出面指控福建晋华、联电非法取得 DRAM 存储技术是两个不同的司法案件。

　　意思是说，这次美国法院驳回美光的部分，是指美光在美国控告晋华关于专利侵权的民事案件，这与 2018 年 11 月美国司法部出面控告晋华、联电，以及制裁晋华禁运的案子，是属于两个不同案件，但却是美光与福建晋华、联电分别在中、美两地司法交手后，第二次遭遇挫败。

　　美光首次与晋华/联电首次交手，意外被处以“诉中禁令”

　　美光和晋华、联电交手的第一次挫败是 2018 年 7 月福州中级法院对美光发出“诉中禁令”，导致美光部分的存储 SSD 和 DRAM 产品禁止在国内销售，震惊国际。但是，业界认为也是因为该事件导致美光更为气急败坏，进而通过采取积极游说施加压力，最终让美国商务部对福建晋华发出制裁令。

　　美国联邦法院这次驳回美光在 2017 年 12 月控告福建晋华的专利侵权案，是因为晋华的存储产品并未在美国境内销售，美国法院不具备管辖权，因此驳回美光的控告，但美光有权再补件继续提告。

　　事实上，晋华的 DRAM 产品并未量产，因此，当然没有因为在美国或国内销售，而出现侵权问题的疑虑，而美光已经在晋华的 DRAM 技术进入量产之前，先一步以禁运制裁的方式，斩断晋华的自主 DRAM 技术之路。

（来源：美光）

　　不过，美光、晋华之间的司法大战，重头戏落在 2018 年 11 月美国司法部出面指控晋华和联电非法取得 DRAM 技术，进而以禁运方式来制裁晋华，背后的“影武者”当然是美光。

　　该案也正式在 2019 年 2 月初，也就是农历春节期间于美国法院开庭，晋华请来曾担任联邦检察官的 Christine Y. Wong 担任辩护律师，而联电则是找来之前在美国欧巴马时代，担任联邦司法部助理总检察长的 Leslie R. Caldwell 作为辩护律师。不过，该案情极为复杂，预计不会这么快有具体的结论。

　　美光启动“秘密突击”锁定三大存储阵营，上百名前员工遭到调查

　　美光为了 DRAM 技术与福建晋华和联电全面杠上，要追溯到 2017 年初，美光启动的一场“秘密突击”。

　　2017 年农历春节期间，很多在合肥长鑫睿力 12 寸晶圆厂、长江存储工作的台湾籍员工回家过年时，即遭到台湾地区的检方以“突击”的方式大规模进行约谈，甚至针对部分员工限制出境，当时传出波及的员工人数达到上百人之多。

　　美光收购台湾 DRAM 厂华亚科技之后，华亚科有大批员工被合肥长鑫睿力挖角，人数高达上百人，当时紫光旗下的长江存储也被点名有挖角华亚科员工，但其实长江存储的 3D NAND 项目启动速度较晚，合肥长鑫的 DRAM 项目抢先一步启动，因此多数的华亚科员工几乎都被合肥长鑫挖走。

　　国内有三个存储技术阵营：长江存储、福建晋华、合肥长鑫，在成立之初就已进入美光为了捍卫技术与专利所圈起来的“雷达区”，那为什么最后只有福建晋华栽了一个大跟斗，成了美光猎杀国内存储自主阵营的“牺牲品”？

（来源：晋华）

　　首先，长江存储在代理董事长高启全一手规划之初，就坚持走自主技术的路线，绝对不容许有任何偷窃技术的行为，也如此规范加入长江存储工作的员工，因此避开美光的专利雷达区。

　　2018 年长江存储甚至催生 Xtacking 堆叠式技术，在美国国际大型研讨会 Flash Memory Summit 上发表之后是大放光彩，成功走出自主开发之路。

　　再来是合肥长鑫睿力，该 DRAM 阵营行事作风也十分神秘低调，甚至传出有好几组不同的技术研发人马，包括有美光、前尔必达（Elpida）、SK 海力士、三星电子（Samsung Electronics）等前员工加入，有些技术团队甚至藏身香港等地区，如此费心地“多窟布局”，为的就是保护真正的技术来源和所属团队。

　　不过，传出部分韩国籍的员工返回韩国时，也遭到相关单位约谈，显见韩系半导体业者也是紧盯着技术专利是否外流的议题。

　　而福建晋华的败笔在哪里？答案是技术研发的所在地。半导体业界人士分析，如果当初技术合作伙伴联电将 DRAM 技术研发基地设立于国内，而非台湾地区，美光恐怕没有这么容易找福建晋华的麻烦。但因为研发基地设立于台湾地区的南科厂区，让美光锁定晋华和联电为全力狙击的目标。

　　福建晋华的技术合作伙伴联电是以台湾南科 12 寸晶圆厂作为 DRAM 技术研发基地，借用联电现有的资源，以加速晋华的研发速度，事实上研发的进度也非常顺利，如果没有美方祭出的制裁禁运事件，现在的福建晋华已经开始在量产国内第一颗自主开发的 DRAM 芯片了。

　　其实，美光所有的动作都是为了阻止国内拥有自主存储技术的能力，因为大陆市场占美光整体营收贡献将近 50%，如果国内拥有自己 DRAM 内存制造的能力，对美光营运的冲击绝对是不容小觑，而这次对晋华的狙击，是一场杀鸡儆猴的动作，也借此警告合肥长鑫。

　　美光控告福建晋华和联电专利侵权，虽然被美国联邦法院驳回，但美光后续采取的策略仍有许多可能。美光已经将该起疑似专利侵权的案件，提升至国家安全等级，将 DRAM 技术列为国家核心技术为由，通过司法途径进一步发难。在目前的气氛环境下，这桩案情已经变得十分复杂，后需发展需再密切观察。