首页科技快讯专注射频装置提升技术，「晶讯聚震」提出改进滤波器性能解决方案 | 潮科技.芯创业

专注射频装置提升技术，「晶讯聚震」提出改进滤波器性能解决方案 | 潮科技.芯创业

来源：晰数塔互联网快讯时间：2020年06月30日 18:05

文 | 美云

编辑 | 恋迦（bjjh@36kr.com）

图 | pexels

射频滤波器广泛应用于无线通信领域，用于对特定频率带宽内的信号进行选择并进理，近些年射频前端市场规模持续扩大，对射频滤波器的性能要求也逐渐增高。36氪近期了解到一家拥有多项美国专利的高性能FBAR滤波器IDM制造商——「珠海晶讯聚震科技有限公司」。

「珠海晶讯聚震科技有限公司」成立于2017年7月27日，主要经营范围包括射频滤波器和感应器芯片的研发、制造、销售、进出口业务及技术咨询服务。据工商信息显示，公司目前持有 14项专利，最新一项公开日期2020年5月，专利名称为用于将电子组件封装在具有有机背端部的封装件的方法。

「晶讯聚震」是一家以高科技晶片研发和生产为主的公司，拥有专利涵盖滤波器设计、谐振器结构、封装方法及生产制造等环节，并致力于为手机、模组、智能终端及小型基站客户提供世界级的高性能SC-FBAR滤波器、双工器和多工器。

「晶讯聚震」曾于2018年提出一项名为“制造具改进腔体的单晶压电射频谐振器和滤波器的方法”的发明专利，此项专利是一项FBAR滤波器装置，其核心是利用空气腔体嵌入硅柄的二氧化硅层，从而提高滤波器的性能。该专利的提出，一定程度上缓解了因底电极与载体晶圆间存在空气腔体，影响了FBAR滤波器性能的进一步提高的问题。

最新进展方面，据公开消息获悉，「晶讯聚震」2020年在珠海正式发布了其自主研制的B41全频段FBAR滤波器及B40滤波器。该FBAR滤波器独创的单晶掺杂压电材料和单晶薄膜电极技术，可重新定义FBAR谐振器和滤波器性能，同时创新性发明一种全新的低成本晶圆级Bump-on-Via WLP封装技术。采用上述技术设计生产的SC-FBAR滤波器在支持高功率的同时可以缩小封装尺寸，具有很薄的WLP封装、大带宽、高带外抑制以及低插损等优异性能。

公开消息显示，「晶讯聚震」在珠海、苏州、台湾新竹设立了研发设计中心，并在天津拥有自己的滤波器加工工厂和产品测试中心。

据工商信息显示，「晶讯聚震」于2019年4月完成股权融资，聚飞光电，广发信德，精测电子，昊君资本，云松投资和云塔电子6家投资方参投，融资金额未披露。