三星目标5年內超越台积电
5月5日消息,据韩国经济日报报导,近日,三星半导体业务主管庆桂显(Kyung Kye-hyun)接受采访时表示,三星的晶圆代工技术仅落后台积电1~2年,但未来的2nm节点竞争中会发生变化,等到台积电量产2nm,三星将处于领先。未来5年内三星将可以超越台积电。
庆桂显进一步解释称,在4nm节点,三星落后台积电2年时间,3nm节点大约落后1年,但是三星的2nm工艺得到了客户的认可,客户对三星的GAA晶体管技术很满意,几乎所有大公司都在与三星合作。
除了制造工艺之外,三星也在努力提高封装技术,庆桂显表示随着半导体工艺微缩变得越来越困难,封装技术可以提高芯片性能。
三星此前制定了2030半导体计划,希望通过171万亿韩元的投资在2030年成为全球最大的半导体公司,包括内存、闪存及逻辑芯片在内。
不过,台经院产经资料库研究员暨总监刘佩真表示,三星(Samsung)去年6月就宣布3奈米制程导入环绕闸极(GAA)架构,因良率提升速度较预期缓慢,三星3奈米争取到的客户订单极为有限。
刘佩真说,透过降价抢单策略,传出三星分食到超微或Google部分4奈米订单,不过这些大客户仍主要由台积电代工生产,因为台积电先进制程良率稳定度及整体表现都优于三星。
她进一步分析,台积电囊括全球晶圆代工市场高达58.5%的市占率,远高于三星的15.8%,三星想弯道超车台积电,仍有一大段距离。
编辑:芯智讯-林子
发布于:广东
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