首页科技快讯英特尔计划到 2025 年使其 3D Foveros 封装产能增加四倍

英特尔计划到 2025 年使其 3D Foveros 封装产能增加四倍

来源：晰数塔互联网快讯时间：2023年08月22日 21:17

IT之家 8 月 22 日消息，英特尔正在积极投入先进制程研发，也同步强化其先进封装业务，目前正在马来西亚槟城兴建最新的封装厂，强化 2.5D / 3D 封装布局版图。

该公司表示，规划到 2025 年时，其 3D Foveros 封装的产能将增加四倍。英特尔副总裁 Robin Martin 今日在槟城受访时透露，未来槟城新厂将会成为该公司最大的 3D 先进封装据点。

2021 年，英特尔宣布将投资 71 亿美元（IT之家备注：当前约 517.59 亿元人民币）在槟城峇六拜建造一家由英特尔运营的全新领先半导体封装工厂。

根据英特尔的说法，作为处理器和主板之间的物理接口，芯片的封装对产品级性能有着至关重要的作用。先进的封装技术便于各种各样的计算引擎实现跨多进程技术集成，并有助于在系统架构中采用全新方法。

据介绍，英特尔的 Foveros 封装技术采用 3D 堆栈来实现逻辑对逻辑的集成，为设计人员提供了极大的灵活性，从而在新设备外形要素中混搭使用技术 IP 块与各种内存和输入 / 输出元素。产品可以分成更小的小芯片 (chiplet) 或块 (tile)，其中 I / O、SRAM 和电源传输电路在基础芯片中制造，高性能逻辑小芯片或块堆叠在顶部。

除此之外，英特尔的全新封装功能正在解锁新的设计，通过将 EMIB 和 Foveros 技术相结合，允许不同的小芯片和块互连，性能基本上相当于单个芯片。凭借 Foveros Omni，英特尔称设计人员利用封装中的小芯片或块可获得更大的通信灵活性。